| 型号： | FQT1N80TF_WS | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| FQT1N80TF_WS PDF |  |
| 产品目录绘图 | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | QFET™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 20 欧姆 @ 100mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 7.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 195pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223-3 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面 | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | FQT1N80TF_WSCT |